物理特性：铟靶材呈银色光泽的灰色，熔点为 156.61℃，沸点 2060℃，密度 7.3 g/cm³。质地非常软，能用指甲刻痕，可塑性强，有良好的延展性，可压成片。

化学特性：铟具有较好的化学稳定性，但在一些特定的环境下，如高温、强酸碱等条件下，可能会发生化学反应。铟化合物在真空下蒸发，能够在电子产品和光伏电池生产中形成薄膜。

铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。

溅射时间与沉积厚度

厚度监控：使用石英晶体微天平（QCM）实时监测薄膜沉积速率，结合靶材消耗速率（约 0.1~0.5 μm/min，与功率相关），控制溅射时间。

靶材利用率：避免过度溅射导致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 时需及时更换），通常平面靶材利用率约 30%~40%，旋转靶可提升至 60% 以上。

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